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参数目录49599
> SPN01N60C3 MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223
型号:
SPN01N60C3
RoHS:
否
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SPN01N60C3 PDF
产品培训模块
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
产品变化通告
Product Discontinuation 18/Dec/2009
标准包装
1,000
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
300mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
6 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3.7V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
100pF @ 25V
功率 - 最大
1.8W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装
PG-SOT223-4
包装
带卷 (TR)
其它名称
SP000012411
SPN01N60C3T
SPN01N60C3XT
查看SPN01N60C3代理商
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